冷壁等离子增强化学气相沉积设备
用于晶圆级单层石墨烯薄膜、化合物薄膜、单壁、多壁碳纳米管阵列及其他薄膜材料生长。
特点：
· 支持最大6寸晶圆
· 高温加热功能，最高1200℃
· 可水冷的多路气体垂直喷淋系统
· 冷壁结构设计，循环水冷系统（5℃-50℃）
· 加热基台转速0-300转/分钟
· 红外测温范围500~1300℃
· PC计算机全自动控制系统
· 13.56MHz、0-1KW射频等离子源
· 提供多种MO源、气源、固源、液源
设备原理图
