PECVD
用于晶圆级薄膜生长，镀膜及其他等离子处理工艺等。
特点：
· 支持6、8、12寸晶圆及碎片样品实验
· 石墨盘加热，不低于400℃
· 微波0.5-10kW，13.56MHz、0-1KW射频电源、直流脉冲（800V，0-1KW等）可选配等离子源
· PC计算机全自动控制系统
· 多路工作气体H2/CH4/N2/Ar/O2等
· 极限真空度优于10-3Pa
用于晶圆级薄膜生长，镀膜及其他等离子处理工艺等。
特点：
· 支持6、8、12寸晶圆及碎片样品实验
· 石墨盘加热，不低于400℃
· 微波0.5-10kW，13.56MHz、0-1KW射频电源、直流脉冲（800V，0-1KW等）可选配等离子源
· PC计算机全自动控制系统
· 多路工作气体H2/CH4/N2/Ar/O2等
· 极限真空度优于10-3Pa