MOCVD
用于二维材料、碳管沉积，氮化物薄膜，氮化物纳米结构的生长调控及宽禁带半导体材料原子层厚度沉积等，集成反应腔、气体输运系统、真空系统、手套箱、气柜、控制系统等。
特点：
· 多层喷淋头结构
· 独立加热功能的有机气源鼓泡管路2-8路（可扩展）
· 最高1200℃带偏压旋转基台
· 红外测温范围500~1300℃
· 加热基台转速0-300转/分钟
· 极限真空低于10-4mTorr
· 提供多种MO源、气源、固源、液源
· 可放置1个4/6英寸石墨盘
· 手套箱水氧含量 ≤ 1ppm