苏州元辰半导体有限公司

创新赋能 智享未来

致力于开发单原子精度的薄膜材料生长、转移等工艺的半导体设备,旨在成为国内薄膜材料半导体设备的行业龙头以及技术引领者,目前已给超过100家客户提供服务或产品
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苏州元辰半导体有限公司

苏州元辰半导体有限公司(简称“元辰半导体”)成立于2024年3月18日,注册地址位于苏州工业园区,注册资本1000万元人民币。元辰半导体具有诺贝尔物理学奖获得者和国家重大计划入选者的股东和技术背景,致力于开发单原子精度的薄膜材料生长、转移等工艺的半导体设备,旨在成为国内薄膜材料半导体设备的行业龙头以及技术引领者。

元辰半导体首席科学家为诺贝尔奖获得者,拥有二维材料生长与工艺的核心技术。元辰半导体拥有两项授权发明专利:电学测试监控反馈式化学气相沉积系统及其应用、高品质二维材料的生长装置和四项授权实用新型专利:用于二维材料生长设备静态混合器、二维材料垂直生长的硅片反应转移装置、二维材料化学沉积冷却系统、左右对称式CVD系统的使用权。掌握多项薄膜半导体材料制备及工艺的核心技术包括石墨烯的大面积CVD生长工艺,过渡金属硫化物的CVD生长工艺等。提供管式CVD、等离子增强CVD和金属有机化合物CVD及各类型薄膜材料转移系统等设备产品,也可按需定制化和合作研发,已与北京大学、浙江大学、厦门大学、天津大学、国防科技大学、北京石墨烯研究院、傲镭科技等高校和企业达成友好合作。