元辰半导体首席科学家为诺贝尔奖获得者,拥有二维材料生长与工艺的核心技术。元辰半导体拥有两项授权发明专利:电学测试监控反馈式化学气相沉积系统及其应用、高品质二维材料的生长装置和四项授权实用新型专利:用于二维材料生长设备静态混合器、二维材料垂直生长的硅片反应转移装置、二维材料化学沉积冷却系统、左右对称式CVD系统的使用权。掌握多项薄膜半导体材料制备及工艺的核心技术包括石墨烯的大面积CVD生长工艺,过渡金属硫化物的CVD生长工艺等。提供管式CVD、等离子增强CVD和金属有机化合物CVD及各类型薄膜材料转移系统等设备产品,也可按需定制化和合作研发,已与北京大学、浙江大学、厦门大学、天津大学、国防科技大学、北京石墨烯研究院、傲镭科技等高校和企业达成友好合作。